4H-SiC - 程序员宅基地

4H-SiC晶体（六方晶系）、6H-SiC晶体（六方晶系）和15R-SiC晶体

标签：晶体

六方晶系是晶体学中的一种晶系，也称为三斜晶系。它是七种晶系之一，具有较低的对称性。六方晶系的晶胞形状是一个六面棱柱。

4H-SiC基底Al

标签：薄膜光学 Al2O3/SiO 电子束蒸 4H-SiC基折射率 thin film Al2O3/SiO electron 4H-SiC su refractiv

在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3/SiO2紫外双层减反射膜, 通过扫描电镜(SEM)和实测反射率谱来验证理论设计的正确性。利用编程计算得到Al2O3和SiO2的最优物理膜厚分别为42.0 nm和96.1 nm以及参考波长λ=280 nm处最小...

4H-SiC无线无源高温压力传感器设计

标签： 4H-SiC

高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题，SiC是制造高温压力传感器的理想材料，结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术，提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限...

不同碳化硅晶体面带来的可能性

标签：器件学习

此外，6mm和3m属于10个极性点群（1、2、3、4、6、m、3m、mm2、4mm、6mm）之一，因此4H-SIC、6H-SIC、15R-SIC是极性晶体。极性晶体意味着晶体中至少一个方向与相反方向具有不同的性质，可以是电学性质（热电性质、铁...

Large-area 4H-SiC avalanche photodiodes with high gain and low dark current for visible-blind ...

In this Letter, we report large-area (600 μm diameter) 4H-SiC avalanche photodiodes (APDs) with high gain and low dark current for visible-blind ultraviolet detection. Based on the separate ...

SIC知识--（6）：Know-how

标签：经验分享制造

2）晶体结构复杂：SiC存在200多种晶体结构类型，其中六方结构的4H型（4H-SiC）等少数几种晶体结构的单晶型SiC才是所需的半导体材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等...

3C - SiC、4H-SiC和6H -SiC

标签：半导体器件

4H-SiC的晶体结构对于制造功率器件来说非常有利，因为它具有较大的晶格失配容忍度和较低的缺陷密度，这使得4H-SiC器件比6H-SiC器件具有更好的稳定性和可靠性。4H-SiC和6H-SiC具有更好的成本效益与设备可靠性。

三菱电机【论文】针对大功率应用的高性能第2代1700V 4H-SiC MOSFET-论文

标签：基础知识

三菱电机【论文】针对大功率应用的高性能第2代1700V 4H-SiC MOSFET

SIC知识--（1）：来龙去脉

标签：经验分享制造

CVD是制备碳化硅涂层的常用方法，通过在高温下分解含硅及碳的原料...碳化硅的晶体结构种类繁多，达200多种，主要分为立方结构（3C）、六方结构（H）和菱面结构（R），例如2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC和15R-SiC等。

第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述

标签：制造经验分享

每一种半导体材料属性和应用领域各不相同，不管是主流的Si，还是专用领域的GaAs，甚至是下一代的SiC和GaN，各有各的擅长之处，所谓的代数编码，更体现在应用场景和普及时间的不同，行业足够大、需求足够多样，每一种...

具有高电流能力的单片4H-SiC结势垒肖特基二极管的制作

标签： 4H-SiC; JBS; current capability; breakdown voltage

具有高正向能力的单片4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管引起了人们的极大兴趣当前用于工业电源应用。在本文中，我们报告了在掺杂至6×1015cm3的10μm4H-SiC外延层上制造的大面积单片4H-SiC JBS二极管。有效面积...

论文研究-Au/Ni/4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的性能研究 .pdf

标签：微电子学与固体电子学

Au/Ni/4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的性能研究，叶鑫，夏晓川，采用4H-SiC材料制备了肖特基结型α粒子探测器，并且在室温常压条件下测试探测器的电学特性及探测性能。根据对正向I-V特性曲线的分析�

铝注入4H-SiC的表面形貌和离子活化研究

标签： 4H-SiC; Al+ implantation; activation anneal; surface morphology

将多能铝（Al +）注入4H-SiC（0001）外延层并通过石墨封装进行活化退火本文对层进行了研究。测量结果表明，已形成了Al +掺杂盒掺杂曲线，并具有较高的掺杂浓度。使用水平化学气相沉积（CVD）在1600°C下退火40分钟...

闪光法测量高导热碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）圆晶中存在的问题

标签：碳化硅 4H-SiC 6H-SiC

对于高导热碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）圆晶的导热系数测试，目前普遍都采用闪光法，但都存在测试结果偏低的现象。本文基于这种高导热碳化硅特性和闪光法，解释了这种测试误差较大的原因，并通过相关文献报道的测试数据...

AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

标签：化学气相 4H-SiC薄 AlN/Si(11 异质外延阴极荧光 chemical 4H-SiC fi AlN/Si(11 heteroepi cathod il

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。...

激光分解4H-SiC制备石墨烯层的晶面取向影响研究

标签：材料石墨烯 4H-SiC 激光辐照晶面指数 materials graphene 4H-SiC laser irr indices o

采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开展研究工作,分析激光能量密度、脉冲数及晶面取向对石墨烯质量的影响。当激光能量密度为1.06 J/cm 2,脉冲数为8000时,4H-SiC...

4H-SiC MESFET特性对比及仿真

标签：仿真

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后，引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EPCG，通过仿真对比了坡形栅4H-...

具有高电压和高电流增益的新型4H-SiC横向双极结型晶体管结构

标签： 4H-SiC; lateral bipolar junction transistor (BJT); high current gain; high breakdown voltage

本文提出了一种新型的4H-SiC横向双极结型晶体管（LBJT）的结构，该晶体管在漂移区内具有基极场板和双RESURF。基极区的集电极-基极结耗尽区扩展受到基极场板的限制。因此，在雪崩击穿的条件下，可以实现LBJT的薄...

4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析

标签：探测器 4H-SiC 紫外探测模拟金属-半光谱响应 photodete 4H-SiC ultravio simulate metal-se spectral

用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗...

激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC

标签：薄膜半绝缘4H- Al掺杂准分子激 thin film semi-insu Al doping excimer l

通过激光辐照固态Al膜，制备了一种p型重掺杂4H-SiC，分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响，验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明，当Al膜厚度为120 nm，脉冲个数为50时，掺杂...

离子对离子注入4H-SiC空位磁矩的影响

标签：研究论文

通过实验测量和第一性原理计算来分析离子注入的碳化硅样品中的结构性质和空位的自旋... 这些结果将有助于理解离子注入的4H-SiC中空位的磁矩，并为在量子技术和自旋电子学中的应用提供诱导SiC中高自旋态空位的可能程序。

界面极化效应对AlGaN/4H-SiC HBT器件性能影响研究

标签： AlGaN/4H-SiC HBT;异质结界面;极化效应;热场发射-扩散 AlGaN /4H-SiC HBT;Heterojunction interface;Polarization effects;Thermionic-Field-Diffusion

AlGaN/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变。利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对AlGaN/4H-SiC ...

4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池* (2010年)

标签：工程技术论文

阐述了一种4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池。利用Schottky结取代常用的p-n结，在活度为0.025mCi/cm2的241Am源辐照下进行测试，得到了开路电压Voc为0.25 V、短路电流密度Jsc为7.64nA/em2和输出功率密度Pmax为...

新型4H-SiC横向JFET结构的高温物理建模和验证

标签： physical model; JFET; temperature

本文研究了一种新颖的4H-SiC LJFET结构的独特性能，该结构具有常开侧向沟道与常闭垂直沟道的串联连接。建立了新颖的结构的综合物理模型，以说明其在室温和高温（300 C）下与传统LJFET结构不同的静态和动态特性。 ...

n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究 (2008年)

标签：自然科学论文

在传统氧化工艺的基础上，结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容。通过I-V测试，结合Fowler-Nordheim（F-N）隧道电流模型分析了氧化膜质量；使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度；通过XPS测试对采取不同工艺...

Sinusoidal Steady State Analysis on 4H-SiC Buried Channel MOSFETs

标签：研究论文

With the combined use of the drift-diffusion (DD) model, experimental measured parameters and small-signal sinusoidal steady-state analysis, we extract the Y-parameters for 4H-SiC buried-channel metal...

4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析 (2008年)

标签：自然科学论文

在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上，得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值，并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型。通过对肖特基二极管的正向特性...

High-performance 4H-SiC p-i-n ultraviolet avalanche photodiodes with large active area

In this Letter, high-performance 4H-SiC p-i-n avalanche photodiodes (APDs) with large active area (800 μm diameter) are reported. With the optimized epitaxial structure and device fabrication ...

”4H-SiC“ 的搜索结果

4H-SiC晶体（六方晶系）、6H-SiC晶体（六方晶系）和15R-SiC晶体

4H-SiC基底Al

4H-SiC无线无源高温压力传感器设计

不同碳化硅晶体面带来的可能性

Large-area 4H-SiC avalanche photodiodes with high gain and low dark current for visible-blind ...

高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究

SIC知识--（6）：Know-how

3C - SiC、4H-SiC和6H -SiC

三菱电机【论文】针对大功率应用的高性能第2代1700V 4H-SiC MOSFET-论文

SIC知识--（1）：来龙去脉

第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述

具有高电流能力的单片4H-SiC结势垒肖特基二极管的制作

论文研究-Au/Ni/4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的性能研究 .pdf

铝注入4H-SiC的表面形貌和离子活化研究

闪光法测量高导热碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）圆晶中存在的问题

AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

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4H-SiC MESFET特性对比及仿真

具有高电压和高电流增益的新型4H-SiC横向双极结型晶体管结构

4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析

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新型4H-SiC横向JFET结构的高温物理建模和验证

4H-SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性

n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究 (2008年)

Sinusoidal Steady State Analysis on 4H-SiC Buried Channel MOSFETs

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