擦除扇区之前需要设计编程/擦除并行位数,决定了写入的时间,Flash 擦除操作可针对扇区或整个 Flash(批量擦除)执行。注意:我们的f407只有3个128kb的沙扇区,对扇区进行访问或者擦除的时候需要计算出其实地址和...
擦除扇区之前需要设计编程/擦除并行位数,决定了写入的时间,Flash 擦除操作可针对扇区或整个 Flash(批量擦除)执行。注意:我们的f407只有3个128kb的沙扇区,对扇区进行访问或者擦除的时候需要计算出其实地址和...
STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分,通过闪存存储器接口(外设)可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程。
适用MCU型号GD32F450IKH6,使用MCU内部flash,已验证无问题,可直接移植使用
STM32F103ZET6单片机内部Flash读写实验例程源码 main() { u8 i=0; u8 key; u8 read_buf[TEXTLEN]; SysTick_Init(72); NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2); //中断优先级分组 分2组 LED_Init()...
这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了。首先是把地址转换成float *类型,然后解引用,编译器就会按照float的规则取解读这个地址里的内容了,这样就可以存储小数了。但是,这样的数据可以直接和...
STM32读写内部FLASH,使用HAL库,注释详细,便于移植
STM32F405 内部flash使用代码
stm32f103c8t6 内部flash读写
标签: 51单片机
51单片机编程方式根据代码下载方法不同可分为两种,分别是在系统编程(ISP, In System Programming )和在程序中编程(IAP, In Application Programming)。
标签: c语言
页擦除的处理方式也有两个思路,一个是根据要写入的大小,计算要擦除页数,对应擦除;)和批量擦除(Mass Erase), 这里不能使用批量...前面提到,不同的系统时钟,需要设置对应的等待周期,以确保能正确读取内部。
【STM32CubeIDE】 stm32f103的内部Flash读写,double数值读写。低位地址存储数据的低位,高位地址存储数据的高位。数据的首地址为存储地址的低位。
STM32使用HAL库读写内部FLASH 测试环境: STM32F103RB 20KBytes RAM 128KBytes FLASH 头文件: //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// ...
在一些时候,需要存储一些数据,但是又不想接外部的flash,那我们可以知道,其实还有内部的flash可以使用,需要注意的是内部flash,读写次数有限,所以需要控制擦写次数首先使用cubmx生成代码,就是配置时钟和debug...
静心理解一下程序存储到了哪些区域,就能知道哪些区域可以进行写入。
STM32L4xx读写内部FLASH,本人使用STM32L452RET6芯片,使用LL库已调通,由于都是寄存器配置,使用HAL库时修改定义后也是可用; 2019/11/20 后期调了STM32L471VETx芯片,发现擦页不能用,最终找到问题是FLASH页码不...
STM32F103C8T6 读写内部FLASH.zip
最近项目用到了,Flash的存储,早就听过armink 大神开源的EsayFlash,于是乎就决定移植到新的项目上,发现 EasyFlash 升级到了 5.0.0 版本后因 API 接口与之前不完全兼容,故重新命名为 FlashDB,有很多种框架,...
Program时的报错返回值较为常见,对返回值30、31进行详解:返回值为30:每次操作写入16位的字节,直到Buffer中的数据全部写入,若写入的数据位超过16位时则返回值30。返回值为31:表示尝试将已有数据位上的0写成1。...
stm32f030 内部 FLASH 模拟EEProm 读写操作,调试OK,stm32其它型号也可以用 开发源码
stm32最小开发板,内部FLASH图片显示实验
为什么要区分好这两种情况,因为Flash的写入前必须先擦除(Flash默认是FF,只做写0操作),flash的擦除,是按照一页为单位进行操作。第一种情况:对存储信息只做读取操作。这种使用可以理解为是只读的,像版本号,或...
记录一下stm32f405RGT6硬件CRC计算中因为数据长度导致的程序卡死
使用STM32内部FLASH进行读存数组数据
STM32G070xx读写内部FLASH,本人使用STM32G070RET6芯片,使用LL库已调通,由于都是寄存器配置,使用HAL库时修改定义后也是可用;与STM32L4xx芯片配置基本相同,修改少量寄存器即可;
STM32F030内部FLASH模拟EEProm
STM32-读写内部FLASH
自己改写的STM32F0内部FLASH程序,做一些小东西时,保存参数少时候使用,减少外设存储芯片。
本压缩包原型是TI提供协议栈的cc2530 内部flash擦写程序,独立出来建立擦写CC2530内部Flash的工程程序,并且包含对cc2530内Flash存储器有擦除、写入和读取等函数实现的测试,更容易阅读与理解。
基于GD32F130的IAP程序,包括BootLoader,APP,内部flash读写操作