”内部FLASH“ 的搜索结果

     因为SMT32内部flash有512K，这么大的空间用来存程序的只有前面的一小段，平时我们跑裸机程序根本不可能用到这么多空间，何必不利用起来，节约外设的电子元器件呢，本例子通过解锁SMT32内部FLASH,来存储我们的数据

     分享一下STM32L431内部flash读写的代码（实测可行）： /** 注意地址的选取尽量选在FLASH的末尾，放置被用户代码覆盖 */ /** * 说明 : 往ST的FLASH写入指定长度的数据（由于是单页写入，写入的字节不能超过4K字节...

     Code/ RO-data/ RW-data /ZI-data 在Keil中编译工程成功后，在下面的Bulid Ouput窗口中会输出下面这样一段信息： Program Size: Code=6320 RO-data=4864 RW-data=44 ZI-data=1636 代表的意思： ...

     在STM32芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中，由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，...

     1. FLASH擦写时间 2. FLASH擦写次数和数据保存年限 只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM。 STM32F103x8, STM32F103xB 1. FLASH擦写时间和电流 2. FLASH...

     版权声明：本文为CSDN博主「简一商业」的原创...由于FLASH的擦除和写入的特性，如果在擦除中掉电或者写入时掉电或者复位（以下简称为掉电），有可能会出现失败的情况，下次再上电读取就会出错。 擦除的时候掉电：不能保

     STM32F1 -内部FLASH编程 STM32的FLASH不但可以存储程序，而且还是可以当EEPROM用。32的FLASH一般都比较大，FLASH的前面部分可以放代码，而最后几页可以存储数据，用于掉电记忆还是挺不错的。 STM32的FLASH是按页类...

     今天在进行STM32内部falsh存储的时候，发现固件库历程的函数原型是这样的： 第一个是地址，在我的STM32中是2K一页的，第二个是要写入的数据。 问题就来了，存储一个小数该怎么办呢？固件库给的是整形数据啊！ 三种...

     在削减成本考量的情况下，我们可以把存储器省下来，参数存储在内部flash中，毕竟就算每片减少一块钱，量大后还是非常可观的。 02 选择参数存储位置 stm32的flash地址起始于0x08000000，结束地址是0x08000000加上芯片...

     最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存，想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作，写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取。 1、程序清单 与 测试结果 本...

     在我们应用开发时，经常会有一些程序运行参数需要保存，如一些修正系数。这些数据的特点是：数量少...考虑到这些数据量比较少，使用专门的存储单元既不经济，也没有必要，而STM32F103内部的Flash容量较大，而且ST...

     STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。 【STM32...

     代码是正点原子STM32F103ZET6的基础上改的，应用串口打印的方式做调试，单片机采用的STM32F103C8T6，移植的话主要修改flash大小和读写地址即可（根据自己的芯片flash大小）,stm32f103c8t6是64K的flash程序存储地址都...

     M3复位后，从0x0800 0004取出复位中断的地址，并且跳转到复位中断程序，中断执行完之后会跳到main函数，main函数里面一般是一个死循环，进去后就不会再退出，当有中断发生的时候，M3将PC指针强制跳转回中断向量表，...

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