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通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性，发现其电阻具有VRH电导特性，认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维强限域作用导致局域态的波函数交叠引起的。研究表明对于Ⅲ-V族元素半导体颗粒镶嵌薄膜的变程跳跃电导在...
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信息技术的发展提出了采用高k栅介质材料替代...本文研究了磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜时工作气压对于薄膜电学性能的影响。实验制备了小同工作气压的Ta2O5薄膜，测试了样品的粗糙度和绝缘性能，并对实验结果进行了分析。
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