每一种半导体材料属性和应用领域各不相同，不管是主流的Si，还是专用领域的GaAs，甚至是下一代的SiC和GaN，各有各的擅长之处，所谓的代数编码，更体现在应用场景和普及时间的不同，行业足够大、需求足够多样，每一种...
”碳化硅“ 的搜索结果
CVD是制备碳化硅涂层的常用方法，通过在高温下分解含硅及碳的原料气体，生成碳原子和硅原子，并在基底表面形成键合反应，制备出碳化硅涂层。50年代至60年代，随着化学气相沉积（CVD）技术的发展，美国贝尔实验室的...
碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。
数字放在前面，用来表示基本重复单元的Si-C双原子层的层数。SiC 晶体结构还可以采用层状结构方法描述，如图所示，晶体中的若干C原子均占据在同一平面上的六方格位点中，形成一个C原子密排层，而Si原子也占据在同一...
以不同粒度的α-SiC为原料,通过配比试验、生坯成型方法的对比、成型后碳化硅制品的生坯性能分析,研究了不同粘结剂、不同成型压力与保压时间、不同成型方法对碳化硅制品的密度、气孔率、抗折强度的影响。结果表明,...
碳化硅功率器件.pdf
碳化硅MOS（国产SiC )管、无桥PFC功率器件 主开关管选择。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。
为解决大口径非球面碳化硅反射镜加工过程中材料去除效率与加工精度之间的矛盾，提出使用组合加工技术进行加工。介绍了组合加工技术的基本原理与数学模型。通过与经典计算机控制表面成形技术(CCOS)加工技术进行对比，...
半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻（2022）（88页）.pdf
碳化硅生产工艺及处理设备
碳化硅氮离子注入模拟研究
标签： 首发论文
碳化硅氮离子注入模拟研究，李卓，夏晓川，利用SRIM软件模拟了在不同注入角度、注入能量和注入剂量的条件下，N离子在SiC材料中的分布。根据对模拟结果分析发现，随着注入角度�
在碳化硅MOSFET大范围应用下，其开关瞬态过程愈发引人关注。由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率，因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响。对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析，推导了它的开关模型。通过开关...
top1000的SiC 碳化硅专利 pdf 一种用于便携式制氧机的集成截止阀的分子筛床排气端盖 耐磨耐冲刷的重防腐纳米化陶瓷胶泥及其制备方法和使用方法 一种单板双封结构的双管板碳化硅换热器 一种分流板流道清胶方法及设备 ...
20210702-东兴证券-电子元器件行业碳化硅产业：已处于爆发前夜，有望引领中国半导体进入黄金时代.pdf
国泰君安-碳化硅行业专题：第三代半导体明日之星，“上车+追光”跑出发展加速度-230506.pdf
碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。 “第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品...
反应烧结碳化硅(RB-SiC)是一种性能良好的反射镜镜胚材料，但其固有的一些缺陷导致未经特殊处理无法获得光滑的光学表面。使用X 射线衍射(XRD)测试了反应烧结碳化硅试片的晶体结构，结果表明其主要成分为多晶态碳化硅...
为了研制出高质量光学表面的离轴非球面碳化硅反射镜，提出一套包括铣磨成型、研磨、粗抛光、表面改性以及精密抛光等工序的完备的离轴非球面碳化硅反射镜加工工艺规范。采用Ultrasonic 100-5数控加工机床直接将Φ600 ...
半导体行业研究：新能源车快速发展，碳化硅迎来发展良机.pdf
20210228-国金证券-半导体行业：砷化镓本土闭环，碳化硅等待“奇点时刻”.pdf
重结晶碳化硅制品等静压成型研究
标签： 行业研究
传统的重结晶碳化硅制品成型方式,以干压成型、注浆成型、可塑成型为主,研究了重结晶碳化硅制品的等静压成型工艺。等静压成型重结晶制品,是将重结晶碳化硅制品的原料:50~200μm的碳化硅粒度砂和5~20μm的碳化硅微粉按...
宽禁带半导体行业深度：碳化硅与氮化镓的兴起与未来-20191021-中泰证券-31页.pdf
制备了质量分数分别为1％、2％、3％、4％、5％、6％和7％的纳米碳化硅/硅橡胶复合物，利用宽频介电谱测试仪测试了不同碳化硅含量的纳米碳化硅/硅橡胶复合物的介电谱特性．结果表明：纳米碳化硅/硅橡胶复合物的介电...
碳化硅材料以其一系列优秀的物理性质，成为一种特别具有应用前景的反射镜材料；碳化硅反射镜光学表面的光学加工研究也在国内外广泛开展。对碳化硅光学表面的抛光机理进行简要讨论；对实验方法、步骤和条件进行了介绍...
简介 在过去的几十年中，半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅 MOSFET ...650V 碳化硅場效應管器件在推出之后，可以补充之前只有 1200V 碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管(SiC MOSFET)由于能够实
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值, 得到SiC器件的总热阻约为3.0 ℃·W-1,...
为实现空间碳化硅反射镜表面硅改性层的精密抛光，提出了由计算机数控抛光、柔性化学机械抛光和离子束抛光这三种抛光技术相结合的组合式加工方法。分别介绍了三种抛光技术的抛光原理、抛光设备、抛光实验以及各自在...
高压碳化硅器件进展及应用前景
标签： 电源 碳化硅
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当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的...
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