文章目录1. 前言2. 击穿 1. 前言 众所周知,计算机的瓶颈之一就是IO,为了解决内存与磁盘速度不匹配的...需要注意的是,Redis产生击穿、穿透、雪崩情况的前提条件都是Redis做缓存使用,并且产生了高并发。 2. 击穿 ...
文章目录1. 前言2. 击穿 1. 前言 众所周知,计算机的瓶颈之一就是IO,为了解决内存与磁盘速度不匹配的...需要注意的是,Redis产生击穿、穿透、雪崩情况的前提条件都是Redis做缓存使用,并且产生了高并发。 2. 击穿 ...
比如到服务A–服务D的这个请求,访问了三次,两次失败,即66%异常,阈值如果设为50%,则此时发生熔断,后续再有这个请求过来直接拦截,快速失败,立刻释放资源,从而解决雪崩问题。即某个服务故障,最终导致了依赖它...
首先阐述了传统测试条件下功率MOSFET管的数据表中雪崩能量值的缺陷,然后讨论了针对实际应用对应着不同的测试电感值时,功率MOSFET雪崩能量的变化及特性,给出了相应的测试波形。同时,通过不同条件下功率MOSFET管...
综上所述,雪崩效应指缓存系统中大量缓存失效或不可用时,导致请求直接落到后端系统上,造成系统性能下降甚至崩溃的现象。当缓存系统中的大量缓存同时失效或不可用时,请求会直接落到后端系统上,导致后端系统负载...
Redis雪崩是指在某个时间点,大量的缓存数据同时失效或过期,导致大量的请求直接打到数据库或后端系统,从而造成数据库负载激增,甚至导致数据库宕机或系统崩溃的现象。这种情况类似于雪崩一样,一旦触发,可能会对...
MOSFET的雪崩特性是在外加电压大于V(BR)DSS时MOSFET也不会遭到破坏的最大漏源闻的能量、漏极电流的值来表示。当负载为电感时.在管子截止时加在漏源间的冲击电压常常会大+V(BR)DSS。 1.雪崩状态时的实际波形 ...
加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要特性 ①雪崩增益系数M(也叫倍增因子),对突变结式中V为反向偏压,VB为体雪崩击穿电压;n与材料、...
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中*...
二、缓存穿透,缓存击穿和缓存雪崩 缓存穿透 描述:缓存穿透是指缓存和数据库中都没有的数据,而用户不断发起请求,如发起为id为“-1024”的数据或id为特别大不存在的数据。这时的用户很可能是攻击者,攻击会导致...
雪崩二极管原理 雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压,使得空间电荷区展宽,从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间...
图1所示是最早出现的InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带示意图LZII。在p+-InP上生长n-InGaAsP,再通过衬底注入锌形成InGaAsP的pn结,最后覆盖一层n-InP。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻,...
在使用时间关联单光子计数的量子保密通信、量子密码术等量子光学领域中,雪崩光电二极管(APD)拥有广泛的应用。然而在其工作过程中,吸收层接收到光子形成载流子,载流子个数在倍增层进行指数型增益,每个载流子通过P...
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中*...
雪崩 网络的官方节点实现-高吞吐量,快速交易的区块链平台。 安装 雪崩协议是一种非常轻便的协议,因此最低的计算机要求是相当适中的。 硬件:2 GHz或更快的CPU,4 GB RAM,20 GB硬盘。 操作系统:Ubuntu> = 18.04...
雪崩灾害防治研究进展及展望.docx
产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生...
我们研究了在不同的反向偏置值下,pin型和独立吸收与倍增(SAM)型GaN雪崩光电二极管中电场的分布。 我们还分析了每一层参数(包括宽度和浓度)对电场分布(尤其是击穿电压)的影响。 发现较高的p-GaN浓度(高于1x10...
功率MOS雪崩指南_仙童:是仙童的应用手册,讲解了MOS管的基本特性,对正确应用MOS管很有帮助,值得一看
本文提供的参考设计用于实现APD偏置电源及其电流监测。基于MAX15031 DC-DC转换器,该电路能够将2.7V至11V范围的输入电压经过DC-DC电源转换器后得到一个70V、4mA电源。 本文列出了参考设计的主要规格、详细的原理图...
摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的...
设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化。由于...
采用雪崩光电二极管作为探测器,将其工作状态设置在盖革模式下。通过分析和计算,雪崩光电二极管可以实现单光子数量级的高灵敏度探测。根据夜天光的光谱分布特点和典型目标的反射特性,仿真得到了在晴朗星光环境下...
缓存雪崩:redis中的很多key过期时间相同,过期时间到了之后,大量数据访问redis,然后redis访问数据库,redis受不了了,相当于缓存被击穿了 解决方案: 1、不要把大量的数据的超时时间设为同一个时间点,加个随机值...
从研究全局雪崩准则的表达方式出发,提出了全局雪崩准则的矩阵刻画方法,为研究全局雪崩准则提供了新的工具。根据全局雪崩准则平方和指标的性质,提出了一种改造 M-M 型函数的奇数元几乎最优函数,其满足多个密码学...
图1所示是早出现的InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带示意图LZII。在p+-InP上生长n-InGaAsP,再通过衬底注入锌形成InGaAsP的pn结,覆盖一层n-InP。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻,阻止了光...
为了合理设置雪崩光电二极管(APD)探测器的偏压, 在恒定温度下实现倍增因子可调, 分析了APD探测器的工作原理及影响其探测灵敏度的因素, 并在室内对APD探测器的探测灵敏度进行测试。实验结果表明: 当通信速率为10~2000...
空间激光通信中的常用调制方式是脉冲位置调制(PPM),雪崩光电二极管(APD)具有高增益、高灵敏度和响应速度快的特点,因而成为空间激光通信中的首选信号探测器件。针对空间激光通信的脉冲位置调制信道,分析了空间光通信...
采用固态结构的雪崩光电二极管,利用其工作在盖革模式下的单光子探测能力,构建了光子计数成像实验系统。通过实验验证,该系统在10-3lx环境照度下,借助VC++开发的数据采集平台,通过点扫描方式将离散为12×12的二维...